{"id":716,"date":"2013-09-02T11:21:43","date_gmt":"2013-09-02T16:21:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.uv.mx\/veracruz\/mmicrona\/?p=716"},"modified":"2019-05-07T09:46:25","modified_gmt":"2019-05-07T14:46:25","slug":"lab-optica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.uv.mx\/veracruz\/mmicrona\/posgrado\/lab-optica\/","title":{"rendered":"Laboratorio de \u00d3ptica"},"content":{"rendered":"

Este laboratorio cuenta con t\u00e9cnicas de espectroscop\u00eda \u00f3ptica y una t\u00e9cnica electromagn\u00e9tica, enfocadas a la caracterizaci\u00f3n de materiales nanoestructurados:<\/p>\n

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1.- Espectroscop\u00eda Raman<\/strong><\/span><\/p>\n

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Microscopio Raman, Modelo DXR, Marca Thermoscientific, mediante la cual es posible conocer informaci\u00f3n de la composici\u00f3n qu\u00edmica de los materiales, calidad cristalina, estado de tensi\u00f3n, y cantidad relativa de los compuestos a trav\u00e9s de los modos de vibraci\u00f3n at\u00f3mica de los enlaces presentes en el material.<\/span><\/p>\n

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2.- Espectroscop\u00eda por Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia<\/span><\/strong><\/p>\n

$\"\"$ <\/a>Espectroscop\u00eda por fotoluminiscencia: mediante esta t\u00e9cnica se estimula \u00f3pticamente al material y se estudia su espectro de emisi\u00f3n con la finalidad de identificar procesos de recombinaci\u00f3n radiactivos que nos dan informaci\u00f3n de la energ\u00eda de banda prohibida, de transiciones asociadas a impurezas y transiciones generadas por defectos cristalinos de los materiales.<\/p>\n

Espectroscop\u00eda por fotorreflectancia: con esta t\u00e9cnica estudiamos el espectro de Reflectividad de los materiales bajo diferentes condiciones de estimulaci\u00f3n \u00f3ptica de los materiales. Nos ayuda a determinar la energ\u00eda de banda prohibida, composici\u00f3n de aleaciones, campos el\u00e9ctricos internos y superficiales<\/p>\n

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3.- Sistema criog\u00e9nico para magnetoresistencia<\/strong><\/span><\/p>\n

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Este equipamiento opera a bajas temperaturas (< 10K) y altos campos magn\u00e9ticos (1T < B < 9T). Con el que es posible realizar mediciones electromagn\u00e9ticas para determinar niveles\u00a0<\/span>de dopaje, movilidad electr\u00f3nica y resistividad el\u00e9ctrica en pel\u00edculas semiconductoras.<\/p>\n

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