• Son tres jóvenes que cursaron el programa educativo de Ingeniería en Electrónica y Comunicaciones, en la región Poza Rica-Tuxpan
• Por sus aportes, recibieron mención honorífica en el marco del Premio Internacional “Dr. José Emilio Vargas Soto”, el pasado 28 de octubre en la Facultad de Estudios Superiores de la UNAM

Los jóvenes premiados al lado de la académica e investigadora Xóchitl Siordia Vásquez

Claudia Peralta Vázquez

30/11/2017, Xalapa, Ver.- Egresados de la Facultad de Ingeniería en Electrónica y Comunicaciones (FIEC) de la Universidad Veracruzana (UV), región Poza Rica-Tuxpan, recibieron mención honorífica en el Premio Internacional “Dr. José Emilio Vargas Soto”, que otorga la Asociación Mexicana de Mecatrónica (AMM) a la mejor tesis de Licenciatura en Ingeniería en Mecatrónica o áreas afines.

Esta distinción tuvo lugar el pasado 28  octubre, en el marco del 16° Congreso Nacional de Mecatrónica celebrado en la Facultad de Estudios Superiores (FES) Aragón de la Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM), evento que fue encabezado por José Emilio Vargas Soto y Jorge Enrique Orozco Ramírez, fundador y presidente de la AMM, respectivamente.

Dulce María Cao-Romero Juárez, Crescencio San Martín Cortez y Patricia Reyes Encarnación, son los jóvenes premiados en este concurso en el que participaron 37 tesis de diferentes instituciones de educación pública y privadas del país, de las cuales sólo hubo un primer lugar y siete menciones honoríficas.

Los dos primeros alumnos citados participaron con la tesis titulada “Implementación de un sistema anticolisión para el control de un vehículo aéreo no tripulado”.

Su contribución a la ciencia tiene que ver con el mejoramiento en los algoritmos para la navegación de robots en ambientes dinámicos que implementaron en un vehículo aéreo no tripulado “UAV” y semiprofesional, que puede volar en modo manual o autónomo y es usado para tareas de monitoreo en aplicaciones de protección civil.

Cabe hacer mención que los alumnos, quienes concluyeron la carrera en julio de 2017, fueron dirigidos por Xóchitl Siordia Vásquez y Luis David Ramírez González, profesores de tiempo completo de la FIEC, en codirección con Ulises Pineda Rico, académico investigador de la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí (UASL), a quienes se les otorgó también un reconocimiento por su labor.

“Análisis para la reducción de dimensionalidad de patrones de datos biomecánicos de la laringe orientado al desarrollo de un sistema electrónico bioinspirado para la predicción del cáncer”, fue el tema con el que Patricia Reyes Encarnación, egresada en el mismo periodo, también obtuvo la distinción en el Premio Internacional “José Emilio Vargas Soto”.

En dicha investigación destaca la aplicación de un algoritmo de minería de datos que logra mapear un conjunto de patrones de alta dimensión ─formado por parámetros biomecánicos de la laringe asociados a la etapa preasintomática del cáncer─, en subespacios de menor dimensión y así lograr una descripción de los patrones originales con menor costo computacional.

La aportación es relevante pues disponer de patrones de baja dimensión posibilita su aplicabilidad en el diseño de nuevos dispositivos electrónicos orientados al diseño de novedosas pruebas de tamiz digital que sean útiles para la detección oportuna del cáncer de laringe, inclusive desde su etapa preasintomática, en la que no hay síntomas visibles del tumor.

Este trabajo de tesis fue desarrollado bajo la dirección de Xóchitl Siordia Vásquez y Román García Ramos, en el marco de los trabajos de investigación del cuerpo académico (CA) Modelado y Simulación de Sistemas Robóticos Inteligentes, en la Línea de Investigación en Diseño de Ingeniería Biomimética.

La AMM informó que el comité evaluador estuvo integrado por especialistas del área, todos con el grado de doctor y algunos con nombramiento del Sistema Nacional de Investigadores (SNI) del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (Conacyt), quienes seleccionaron los trabajos ganadores por su grado de innovación, aporte científico y tecnológico.